Вольфрамовый порошок ПВП

Методы контроля качества, применяемые для вольфрамового порошка, включают химический анализ (ICP-MS, GDMS), гранулометрический анализ (лазерная дифракция), определение насыпной плотности, текучести, удельной поверхности по БЭТ, а также визуальный контроль морфологии частиц.

Для плазменного напыления наилучшую адгезию обеспечивает вольфрамовый порошок со сферической морфологией и узким распределением частиц по размерам. Это способствует равномерному расплавлению частиц в плазменной струе и формированию плотного, гомогенного покрытия с высокой прочностью сцепления с подложкой.

Для создания тяжелых сплавов высокой плотности, таких как вольфрамовые сплавы с никелем, железом или медью, лучше всего подходит вольфрамовый порошок с крупными частицами, например ВП-10,7, и высокой насыпной плотностью. Это обеспечивает максимальное содержание вольфрама в конечном продукте и требуемую плотность.

Различные методы получения вольфрамового порошка (например, восстановление оксидов, химическое осаждение, плазменный синтез) влияют на его характеристики, такие как средний размер частиц, гранулометрический состав, морфология, чистота и активность, что определяет его пригодность для конкретных применений.

Для термического напыления с высокой износостойкостью рекомендован вольфрамовый порошок с контролируемым гранулометрическим составом и сферической морфологией частиц. Это обеспечивает оптимальную текучесть, равномерное формирование слоя и высокую плотность напыления, что критично для повышения абразивной и эрозионной стойкости покрытия.

Типичное содержание кислорода в вольфрамовом порошке марки ВП-0,7 с чистотой 99,9% обычно составляет от 0,05% до 0,2%. Низкое содержание кислорода критично для сохранения пластичности и механических свойств спеченного вольфрама.

К вольфрамовому порошку для использования в электронике предъявляются высокие требования к чистоте, в частности, низкое содержание щелочных металлов, галогенов, кислорода и других элементов, которые могут негативно влиять на электрические свойства и стабильность полупроводниковых приборов.